ES7P173x_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.2
1. 刪除LVD電壓檢測(cè)選擇位3.6V檔位選擇。

ES7P2032_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.2
1. 新增TSSOP28封裝信息；
2. 更新T2n PWM脈寬公式。

HW2000B_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.3
1. 新增PKG_RSSI寄存器相關(guān)信息；
2. 更改ACK重發(fā)次數(shù)說(shuō)明。
 
HW2171B_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.2
1. 更改ACK重發(fā)次數(shù)說(shuō)明。
 
HW2181B_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.2
1. 更改ACK重發(fā)次數(shù)說(shuō)明；
2. RF寄存器列表增加0x2B寄存器說(shuō)明；
3. 改BOR模塊特性表中的最低檔位的電壓范圍上限為2.38V；
4. 更新MCU的IO端口VDD=2.5V條件下的輸出特性曲線；
5. 更新功耗參數(shù)表中，關(guān)于ADC模塊和VREF模塊的功耗參數(shù)；
6. 更新CLKFLT旁路控制位的使用說(shuō)明。
 
HW3181_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.2
1. 更新MCU的IO端口VDD=2.5V條件下的輸出特性曲線；
2. 更新功耗參數(shù)表中，關(guān)于ADC模塊和VREF模塊的功耗參數(shù)；
3. 修改BOR模塊特性表中的最低檔位的電壓范圍上限為2.38V；
4. 更新CLKFLT旁路控制位的使用說(shuō)明。
 
AN1035_應(yīng)用筆記_HW2000B_Programming_Guide 
版本號(hào)：V1.3
1. 增加ACK重發(fā)次數(shù)配置說(shuō)明小節(jié)；
2. 更新Logo。

變更時(shí)間：2019年4月25日